La DRAM con transistores 3D está más cerca que de lo que te imaginabas

El uso de las litografías más avanzadas para la fabricación de chips no es una novedad en el caso de las nuevas CPU, GPU y SoC, sin embargo, las memorias aún no han llegado al punto de necesitar esta tecnologías. No obstante, ya tenemos fecha para la aparición de DRAM con transistores 3D, al menos, de parte de Samsung, y esta no es precisamente lejana.

Samsung fabricará DRAM con transistores 3D en 2025

Lo que conocemos como 3D DRAM no es una novedad, no es más que memoria RAM en formato 3DIC, es decir, varios chips de memoria apilados una encima de la otra. De ello tenemos ya varios ejemplos como la memoria HBM o los módulos 3DS DDR4 que salieron para el mercado de servidores hace un tiempo. Sin embargo, en este caso no estamos hablando de esta tecnología, sino el uso de transistores 3D para RAM, y es que mientras para la fabricación de chips de lógica, lo que serían las CPU, por ejemplo, se suelen usar nodos de fabricación con litografías muy avanzadas, en memorias suelen ir varios años por detrás.

Y es que Samsung ha mostrado una hoja de ruta donde se habla del uso de transistores 3D para DRAM en pocos años. Lo cual tiene sentido, dado el empuje de China en lo que al mercado de memorias en chip se refiere, tanto volátiles como no volátiles. No olvidemos que Corea del Sur se encuentra dentro de la órbita estadounidense y, en consecuencia, no se ve afectada por el bloqueo tecnológico que les permite acceder a las litografías más avanzadas, las cuales se usarán para la fabricación de chips de memoria en un futuro.

Así pues, el mayor fabricante de memorias del mundo va a adoptar lo que se le llama DRAM with vertical channel transistors (VCT) a partir de que empiecen a adoptar nodos por debajo de los 10 nm para la fabricación de chips de memoria a partir de 2025. Tal y como se puede ver en la hoja de ruta que presentaron en la reciente Memcon.

Para 2030 toda la memoria será apilada

El uso de transistores 3D para DRAM permitirá que en un futuro la densidad de los chips de memoria DRAM crezca en una dimensional adicional, haciendo que estos ganen en capacidad. Hasta el punto que cerca de 2030 los chips de memoria serán todos apilados, o lo que se conoce como 3D DRAM. No obstante, hablamos de un paradigma distinto al de la las actuales memorias HBM, dado que la construcción de este tipo de memorias se hará de forma distinta, ya veremos que tal se desarrollan las cosas en este sentido, dado que aún quedan varios años por delante.

Y es que una de las tendencias que se han observado más recientemente en el mundo del diseño de chips es como la capacidad de la memoria no escala de la misma forma en litografías muy avanzadas, las cuales, pese a que no se han visto todavía usadas para la fabricación de chips de memoria DRAM, sí que lo harán en los años siguientes. Y la demanda por cada vez más memoria es clara, en especial en unos tiempos en los que se suelen mover grandes cantidades de datos, en especial de cara a aplicaciones relacionadas con inteligencia artificial.